Hace unas horas Samsung ha anunciado el desarrollo del primer chip SDRAM DDR3 de 4 gigabit (1GB). Hechos por un proceso de fabricación de 50 nanómetros ultradenso que permitirá hasta 8GB de RAM en un único módulo de memoria para portátiles, el doble de lo actualmente posible.
Pero también al ser más pequeño el proceso permite el ahorro de energía y menos calor, convirtiéndola en la memoria DDR3 más eficiente. Samsung estima un ahorro que va desde el 20 al 40 por ciento en función del tamaño del módulo.
Aunque no se han dado datos de su comercialización, la compañía afirma que tiene la técnica desarrollada desde septiembre con chips de 2 Gb.
Fuente: Electronista.
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