Samsung acaba de ponerse en marcha fabricando chips de memoria DDR3 de 4 Gbits. Ha sido posible gracias a la fabricación en proceso de 40nm y con estos chips llegarán modelos del doble de capacidad actual.
Tendrán un consumo inferior y un rendimiento por encima de la gama anterior y en teoría permitirá la fabricación de módulos de hasta 32 GB para servidores y 8 GB para portátiles. Trabajarán a un voltaje de 1,5V y 1,35V y llegarán en formato RDIMM de 16 y 32 GB y SoDIMM de 8 GB.
No hay comentarios:
Publicar un comentario